特許

J-GLOBAL ID：200903004040975684

半導体装置の製造方法

発明者： 小橋 英晴 ,  保坂 浩二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-060828
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250834
出願日： 2000年03月06日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】半導体チップにおける不良マークの認識を一括して行い、短時間で確実に良品の半導体チップをダイボンディングする。【解決手段】 カセットリフタ2から搬送された半導体ウエハWは、ウエハ修正シュートによって位置決め固定された後、ウエハ画像認識カメラ4が、半導体ウエハW全体の画像を取り込む。取り込まれた画像データからウエハマップを生成し、不良品の半導体チップが位置するマップ座標を認識する。ピックアップ時には、マップ座標に基づいて、良品の半導体チップの位置だけをチップ認識用カメラ12によって認識してピックアップする。

請求項（抜粋）：

フレームに貼り付けられたテープに接着された半導体ウエハを個々の半導体チップに切断する工程と、切断された前記半導体チップのうち、不良品の半導体チップに不良マークをマーキングする工程と、マーキングが終了した前記半導体ウエハの全体画像を取り込み、その画像に基づいて、良品、または不良品の前記半導体チップにおける少なくともいずれか一方の位置データをそれぞれ認識し、ウエハマップを生成する工程と、前記ウエハマップに基づいて、マーキングされていない良品の前記半導体チップだけをピックアップする工程と、ピックアップされた前記半導体チップが所定の位置にボンディングされる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

H01L 21/52 C ,  H01L 21/52 F ,  H01L 21/66 A

Fターム (4件)：

4M106DA15 ,  5F047FA73 ,  5F047FA74 ,  5F047FA75