特許

J-GLOBAL ID：200903004044076803

水素化非晶質シリコン成膜装置

発明者： 佐々木 敏明
出願人/特許権者： 株式会社富士電機総合研究所
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-021482
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217913
出願日： 1992年02月07日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】原料ガスを加熱して供給し、基板温度を高くする必要なしに大面積の基板上にも均一な膜質のa-Si:H膜を形成できる装置を提供する。【構成】メッシュ状の高周波電極と接地電極を対向させ、接地電極上に成膜基板を設置し、高周波電極の外側で電極板面平行に走り、内部にヒータを備えたガス導入管の側面に均一に分布して明けた吹き出し口から加熱された原料ガスを電極間のグロー放電部に供給する。この装置で成膜したa-Si:H膜を活性層に用いて短絡電流密度の高い太陽電池を作製することができる。

請求項（抜粋）：

真空排気口を備えた反応室内に対向配置された一対の電極板にはさまれて一方の電極板上に設置した成膜基板上のグロー放電発生可能の空間に向けて均一に分布して開口する複数のガス吹き出し口を側面に有し、内部に加熱手段を備えた原料ガス導入管が両電極板面に平行に設けられたことを特徴とする水素化非晶質シリコン成膜装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-085221
  
• 特開昭59-078528
  
• 特開昭63-224216