特許

J-GLOBAL ID：200903004044863724

レジストパターン形成方法

発明者： 穴田 浩二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-359765
公開番号（公開出願番号）：特開2000-182940
出願日： 1998年12月17日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 レジスト膜の断面形状を垂直に近い形状に保ち、耐熱性も十分に有することが可能なレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 基板上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜を露光した後現像するレジストパターン形成方法において、現像後のレジスト膜に100°C以上200°C以下の温度をかけながら紫外線を照射する。

請求項（抜粋）：

基板上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜を露光した後現像するレジストパターン形成方法において、現像後のレジスト膜に加熱しながら紫外線を照射することを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40 501

FI (2件)：

H01L 21/30 571 ,  G03F 7/40 501

Fターム (5件)：

2H096AA25 ,  2H096GA02 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  5F046LA18