特許
J-GLOBAL ID:200903004046289855

磁気光学素子用Cd1-x-yMnxHgyTe単結晶の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 後藤 洋介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-069220
公開番号(公開出願番号):特開平11-326854
出願日: 1993年01月25日
公開日(公表日): 1999年11月26日
要約:
【要約】【課題】 波長領域0.8μm〜1.1μmの使用に好適な磁気光学素子用の単結晶の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 磁気光学素子用Cd1-x -yMnx Hgy Te単結晶を化学量論組成よりもTe過剰のメルトから結晶化させることにより製造する磁気光学素子用Cd1-x -yMnx Hgy Te単結晶の製造方法であって、縦型炉でるつぼを降下させて前記メルトより前記単結晶を成長させるブリッジマン法を用いることを特徴とする磁気光学素子用Cd1-x -yMnx Hgy Te単結晶の製造方法。
請求項(抜粋):
磁気光学素子用Cd1-x -yMnx Hgy Te単結晶を化学量論組成よりもTe過剰のメルトから結晶化させることにより製造する磁気光学素子用Cd1-x -yMnx Hgy Te単結晶の製造方法であって、縦型炉でるつぼを降下させて前記メルトより前記単結晶を成長させるブリッジマン法を用いることを特徴とする磁気光学素子用Cd1-x -yMnx Hgy Te単結晶の製造方法。
IPC (3件):
G02F 1/09 501 ,  C30B 11/00 ,  C30B 29/48
FI (3件):
G02F 1/09 501 ,  C30B 11/00 Z ,  C30B 29/48
引用特許:
審査官引用 (23件)
  • 特開平3-137085
  • 特開平3-137085
  • 特公昭45-038646
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