半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-230596
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058647
出願日： 1998年08月17日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】絶縁膜を選択エッチングして上層配線のための配線溝を形成する際に、配線溝形成予定領域内の開口部の底部にフォトレジストを残すことにより、下地膜の膜減りやダメージを防止する。【解決手段】TEOS膜16に開口部19を形成した後、ポジ型フォトレジスト20を形成し、開口部19を含む配線溝形成予定領域を除く領域に遮光部31aを有し、開口部19に対応した位置に解像度限界以下の寸法のパターン31bを有するフォトマスク31を用いて露光を行う。この後、現像処理を行い、配線溝に対応した位置ではフォトレジストが完全に除去され、十分に感光されなかった開口部19の底部にはフォトレジスト20が残る。次に、レジストパターン22をマスクとしてTEOS膜16を所定の厚みだけ除去することにより上層配線のための配線溝23を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、上記絶縁膜に対して開口部を形成する工程と、上記開口部の内部を含む全面にポジ型フォトレジストを塗布形成する工程と、上記開口部を含む配線形成予定領域を除く領域に遮光部を有し、上記開口部に対応した位置に露光装置の解像度限界以下の寸法のパターンを有するフォトマスクを用いて上記フォトレジストに対して露光を行う工程と、上記フォトレジストを現像処理して、上記開口部内及び上記フォトマスクの遮光部に対応した位置にフォトレジスト膜を残す工程と、上記フォトレジストをマスクとして上記絶縁膜を所定の厚みだけ除去する工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/90 C , H01L 21/30 576 , H01L 21/302 J

Fターム (32件)：

5F004AA06 , 5F004AA09 , 5F004AA11 , 5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB26 , 5F004EA00 , 5F004EA23 , 5F004EB01 , 5F004EB02 , 5F033AA04 , 5F033AA05 , 5F033AA13 , 5F033AA28 , 5F033AA29 , 5F033AA64 , 5F033AA66 , 5F033BA15 , 5F033BA17 , 5F033DA04 , 5F033DA15 , 5F033DA17 , 5F033DA34 , 5F033EA25 , 5F033EA28 , 5F033EA32 , 5F046AA20 , 5F046AA26 , 5F046CA07 , 5F046CB17

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