特許
J-GLOBAL ID：200903004049180773
発光素子
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-232366
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066503
出願日： 1993年08月25日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】p型コンタクト層とp型電極との間に良好なオーム性接触を得ることはでき、しかも、10V以下の動作電圧を達成し得る発光素子を提供する。【構成】発光素子は、化合物半導体層24上に形成されたp型コンタクト層30を有し、このp型コンタクト層30は、第1のコンタクト層32、第2のコンタクト層36、並びに第1及び第2のコンタクト層の間に形成された複数の障壁層と複数の量子井戸層から構成された多重量子井戸構造34から成り、障壁層の厚さは0.3乃至1.7nmであり、量子井戸層の数は3乃至6である。
請求項（抜粋）：
化合物半導体層上に形成されたp型コンタクト層を有し、該p型コンタクト層は、第1のコンタクト層、第2のコンタクト層、並びに第1及び第2のコンタクト層の間に形成された複数の障壁層と複数の量子井戸層から構成された多重量子井戸構造から成り、該障壁層の厚さは0.3乃至1.7nmであり、量子井戸層の数は3乃至6であることを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
前のページに戻る
