特許

J-GLOBAL ID：200903004050477925

反射防止膜の製造方法

発明者： 奥和田 久美 ,  中村 新一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-264573
公開番号（公開出願番号）：特開平5-105424
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月27日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、MgF2 中への副生成物や残留物の混入が少なく、量産性に富んだ反射防止膜の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 反射防止膜としてのMgF2 膜は、MgSO4 、Mg(NO3 )2 、MgCO3 、Mg(PO4 )2 、MgHPO4 、Mg(H2 PO4 )2 、これらの水和物、及び/又は一般式Mg(OR1 )2 (R1 は非置換又は置換アルキル基を表す)のアルコキシドと、NH4 F、MeF(Meはアルカリ金属)及び/又は一般式(R2 )4 N+ F- (R2 はアルキル基を表す)の4級アンモニウムとを含む塗布液、或いはこれら反応体を反応させて得られたMgF2 微粒子を含む塗布液を基体上に塗布し、加熱することによって製造される。

請求項（抜粋）：

基体上に反射防止膜としてMgF2 膜を形成する反射防止膜の製造方法において、前記MgF2 膜が、MgSO4 、Mg(NO3 )2 、MgCO3 、Mg(PO4 )2 、MgHPO4 、Mg(H2 PO4 )2 及びこれらの水和物、並びに一般式Mg(OR1 )2 (但し、式中R1 は非置換又は置換アルキル基を表す)で示されるアルコキシドからなる群より選ばれた少なくとも一種のマグネシウム化合物と、NH4 F、MeF(Meはアルカリ金属)及び一般式(R2 )4 N+ F- (但し、式中R2 はアルキル基を表す)で示される4級アンモニウムからなる群より選ばれた少なくとも一種のフッ素化合物とを含む塗布液、或いは前記マグネシウム化合物とフッ素化合物とを反応させて得られたMgF2 微粒子を含む塗布液を基体上に塗布した後、加熱することによって形成されることを特徴とする反射防止膜の製造方法。

IPC (3件)：

C01F 5/28 ,  C03C 17/22 ,  C03C 17/25