特許

J-GLOBAL ID：200903004053606939

半導体製造方法および装置

発明者： 大木 成恭 ,  中原 強
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-220910
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063938
出願日： 1995年08月29日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】 ウェハの素子形成面に形成する半導体チップ数を増加させる半導体製造方法および装置を提供する。【構成】 紫外光などの照射光2を発する光源1と、文字などのマーク用の画像部が形成されたフォトマスク5を介して照射光2をウェハ3に照射することにより前記マークの印字を露光によって行う光学系6と、ウェハ3を載置しかつθ回転またはX方向もしくはY方向へ直線移動する露光ステージ4と、ウェハ3をプリアライメントするプリアライメントステージ7とからなり、露光ステージ4をθ回転させ、ウェハ3の外周部に照射光2を照射することにより、前記外周部に前記マークを湾曲配列で印字する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ上に文字などのマークを印字する半導体製造方法であって、前記半導体ウェハをプリアライメントステージに載置してプリアライメントした後、前記半導体ウェハを露光ステージに載置し、前記露光ステージ上で前記半導体ウェハのオリエンテーションフラット合わせを行い、前記露光ステージを回転させ、前記マークが形成されたフォトマスクを介して前記照射光を前記半導体ウェハの外周部に照射することにより、露光によって前記外周部に前記マークを湾曲配列で印字することを特徴とする半導体製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/68 ,  H01L 23/00

FI (5件)：

H01L 21/30 502 G ,  H01L 21/02 A ,  H01L 21/68 F ,  H01L 23/00 A ,  H01L 21/30 520 A