特許
J-GLOBAL ID：200903004054880937
高耐圧用トランジスタを有する半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-039027
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252397
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の高集積化と共に、ウェルの不純物濃度が高くなっても、ブレークダウン電圧が高い高耐圧のトランジスタを作り込むことが可能な半導体装置の構造を提供する。【構成】 N型半導体基板2の表面に形成されたP型ウェル領域の上に、トランジスタ8a,8bが形成された高耐圧用トランジスタを有する半導体装置において、トランジスタのドレイン領域52が形成される側の第1ウェル領域50の不純物濃度が、トランジスタ8a,8bのチャネルおよびソース領域14が形成される側の第2ウェル領域40の不純物濃度よりも低く設定されている。ドレイン側の第1ウェル領域50では、表面側の不純物濃度が深部の不純物濃度に比較して低く設定することが好ましい。また、イオン注入法などで、半導体基板2の表面から所定深さの位置に第1ウェル領域56を形成し、この第1ウェル領域56の上部には、半導体基板2と同一の導電型の低濃度不純物拡散領域58を残すように構成することもできる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板の表面に形成された第1導電型と反対の第2導電型のウェル領域の上に、トランジスタが形成された高耐圧用トランジスタを有する半導体装置において、トランジスタのドレイン領域が形成される側の第1ウェル領域の不純物濃度が、トランジスタのチャネルおよびソース領域が形成される側の第2ウェル領域の不純物濃度よりも低く設定されている高耐圧用トランジスタを有する半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 X
, H01L 29/78 301 S
