特許
J-GLOBAL ID：200903004054904771
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-213307
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114690
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体チップの回路と入出力配線の間のインピーダンス整合手段に関し、ダイマウント部と、メタライズ配線層の間を接続するボンディングワイヤを廃止し、半導体チップの大型化に対応することを目的とする。【構成】 開口11 を有するセラミック枠体1と、底板3と、半導体チップ5と、セラミック枠体1の上面に形成されたメタライズ配線層14 と、外部リード6と、シールドメタライズ層15 と、半導体チップ5の上面の接続パッドとメタライズ配線層14 の間を接続するボンディングワイヤ17 を有し、半導体チップ5の裏面と特定の外部リード6に接続されているメタライズ配線層13 の間を、底板3、セラミック枠体に形成された貫通導電体12 、シールドメタライズ層15 を経て電気的に接続し、半導体チップに形成された回路とメタライズ配線層14 の間のインピーダンスを整合するように構成した。
請求項（抜粋）：
開口を有するセラミック枠体と、該開口を閉じるように枠体の底面に接着された導電性の底板と、該導電性の底板の上にフェイスアップで接着された半導体チップと、該セラミック枠体の上面に形成された複数のメタライズ配線層と、該メタライズ配線層に接続された外部リードと、該セラミック枠体の上面の該複数のメタライズ配線層の間に形成されたシールドメタライズ層と、該半導体チップの上面の接続パッドと該セラミック枠体の上面に形成された複数のメタライズ配線層の間を接続するボンディングワイヤを有し、該半導体チップの裏面と特定の外部リードに接続されているメタライズ配線層との間が、該導電性の底板、該セラミック枠体に形成された貫通導電体、該セラミック枠体の上面に形成されたシールドメタライズ層を経て電気的に接続され、該半導体チップに形成されている回路と該メタライズ配線層の間のインピーダンスを整合していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/50
, H01L 23/12 301
