特許
J-GLOBAL ID：200903004060209546
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329884
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153822
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ照射中のウエハ表面とウエハ載置電極との間の電位差をなくし、ゲート絶縁膜の耐圧劣化を防ぐ。【構成】 クランプリング21を導電性の材料を主体に構成し、クランプリング21の電位とウエハ3を載置する電極の電位とを同一にするものである。より具体的には、クランプリング21の芯材をアルミ23とするとともに、芯材の表面をアルミナ25とし、少なくともウエハ載置電極1との接触部分21a、及びウエハ表面との接触部分21bは、アルミ23を露出して、電気的に接触させたものである。
請求項（抜粋）：
ウエハ固定のためのクランプリングを導電性の材料を主体に構成し、該クランプリングの電位とウエハを載置する電極の電位とを同一にしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/68
, H01L 21/3065
