特許
J-GLOBAL ID:200903004065049164

エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松本 孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-074781
公開番号(公開出願番号):特開平8-274025
出願日: 1995年03月31日
公開日(公表日): 1996年10月18日
要約:
【要約】【目的】臨界膜厚以下のInGaAs層で活性層を形成しても、十分な電流を得ることができるようにする。【構成】エピタキシャルウェハは、半絶縁性GaAs基板5上に、アンドープAlGaAs層4およびアンドープGaAs層3を介してn型の活性層6を有する。この活性層6を非常に薄いn型InGaAs層2とn型GaAs層1とを交互に形成した多層構造で構成する。n型InGaAs層2およびn型GaAs層1の厚さtは、臨界膜厚t0 以下、すなわちt≦t0 =x-1.72 -2.48nm(但し、x(0 請求項1:
半絶縁性GaAs基板上にn型の活性層を有するエピタキシャルウェハにおいて、前記活性層に、n型InGaAs層とn型GaAs層またはn型AlGaAs層とを交互に形成した多層構造が含まれ、かつ前記n型InGaAs層、およびn型GaAs層またはn型AlGaAs層の各層の厚さtをt≦x-1.72 -2.48nm(但し、x(0 IPC (5件):
H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (6件):
H01L 21/20 ,  H01L 27/12 G ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 H ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/80 F
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平3-136250
  • 特開平2-112239
  • 特開平3-136250
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