【要約】【目的】臨界膜厚以下のInGaAs層で活性層を形成しても、十分な電流を得ることができるようにする。【構成】エピタキシャルウェハは、半絶縁性GaAs基板5上に、アンドープAlGaAs層4およびアンドープGaAs層3を介してn型の活性層6を有する。この活性層6を非常に薄いn型InGaAs層2とn型GaAs層1とを交互に形成した多層構造で構成する。n型InGaAs層2およびn型GaAs層1の厚さtは、臨界膜厚t
0 以下、すなわちt≦t
0 =x
-1.72 -2.48nm(但し、x(0
請求項1:
半絶縁性GaAs基板上にn型の活性層を有するエピタキシャルウェハにおいて、前記活性層に、n型InGaAs層とn型GaAs層またはn型AlGaAs層とを交互に形成した多層構造が含まれ、かつ前記n型InGaAs層、およびn型GaAs層またはn型AlGaAs層の各層の厚さtをt≦x
-1.72 -2.48nm(但し、x(0
IPC (5件):
H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 29/872
, H01L 21/338
, H01L 29/812
FI (6件):
H01L 21/20
, H01L 27/12 G
, H01L 29/48 F
, H01L 29/48 H
, H01L 29/48 M
, H01L 29/80 F
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開平3-136250
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特開平2-112239
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特開平3-136250
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