特許

J-GLOBAL ID：200903004065049164

エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ

発明者： 乙木 洋平 ,  坂口 春典 ,  目黒 健 ,  永井 久隆
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-074781
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274025
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】臨界膜厚以下のInGaAs層で活性層を形成しても、十分な電流を得ることができるようにする。【構成】エピタキシャルウェハは、半絶縁性GaAs基板5上に、アンドープAlGaAs層4およびアンドープGaAs層3を介してn型の活性層6を有する。この活性層6を非常に薄いn型InGaAs層2とn型GaAs層1とを交互に形成した多層構造で構成する。n型InGaAs層2およびn型GaAs層1の厚さtは、臨界膜厚t<SB>0 </SB>以下、すなわちt≦t<SB>0 </SB>=x<SP>-1.72 </SP>-2.48nm(但し、x(0<x≦1)はInGaAsのIn組成比)とする。これによりInGaAs層2の実効厚さを厚くできる。

請求項（抜粋）：

半絶縁性GaAs基板上にn型の活性層を有するエピタキシャルウェハにおいて、前記活性層に、n型InGaAs層とn型GaAs層またはn型AlGaAs層とを交互に形成した多層構造が含まれ、かつ前記n型InGaAs層、およびn型GaAs層またはn型AlGaAs層の各層の厚さtをt≦x<SP>-1.72 </SP>-2.48nm(但し、x(0<x≦1)はInGaAsのIn組成比)としたことを特徴とするエピタキシャルウェハ。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 G ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 H ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/80 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-136250
  
• 特開平2-112239