特許

J-GLOBAL ID：200903004069892826

半導体レーザ素子

発明者： ▲吉▼田 智彦 ,  須山 尚宏 ,  兼岩 進治 ,  近藤 雅文 ,  細羽 弘之 ,  幡 俊雄 ,  大林 健
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-332231
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167177
出願日： 1991年12月16日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 制御性よく、自励発振を発生させることができ、戻り光の存在下においても、雑音を生じることがない半導体レーザ素子を実現する。【構成】 半導体レーザ素子の積層構造を、アンドープGa0.88Al0.12As活性層3とn型GaAs電流狭窄層6との間に、高抵抗であり、活性層3よりもエネルギーギャップが大きいp型(Ga0.4Al0.6)0.5In0.5Pクラッド層を挿入する積層構造にする。このような構造によれば、電流狭窄層6の幅を比較的狭くできるので、電流の広がりを光の広がりよりも狭くすることが可能になる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、該半導体基板と格子定数が略等しい半導体層が積層され、この内、活性層は、周囲の半導体層よりもエネルギーギャップの大きさが小さく、かつ屈折率が大きい直接遷移型の半導体であり、該活性層の近傍にp-n接合が形成され、p側ないしはn側の電極から注入される電流の流路を該活性層により十分絞ることができるようになった電流狭窄層が形成された内部ストライプ型の半導体レーザ素子において、該活性層と該電流狭窄層との間に形成される半導体層の内、少なくとも1つの半導体層が高抵抗であり、かつ該活性層よりもエネルギーギャップが大きい半導体層である半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-032088
  
• 特開平2-228087
  
• 特開平4-239790
  
• 特開平4-074487