特許
J-GLOBAL ID：200903004069944478

カーボンナノチューブの製造方法

発明者：
長浜 英雄

長浜 英雄 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-245779
公開番号（公開出願番号）：特開2006-062899
出願日： 2004年08月25日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】従来に比べてカーボンナノチューブの成長方向の制御性を向上可能なカーボンナノチューブの製造方法を提供する。 【解決手段】基板1上の絶縁層2の一表面上に少なくとも一対の電極3,3を対となる電極3,3同士の対向面が平行となる形で形成してから、対となる電極3,3間に所定の電圧を印加するときに電界が形成される領域において各電極3,3それぞれに接する触媒金属部4,4の対を形成した後、対となる電極3,3間に電圧を印加し且つ絶縁層2の上記一表面側に炭素を含む原料ガスを供給してCVD法によって対となる触媒金属部4,4間にカーボンナノチューブを成長させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁層の一表面上に少なくとも一対の電極を対となる電極同士の対向面が平行となる形で形成してから、対となる電極間に電圧を印加するときに電界が形成される領域において各電極それぞれに接する触媒金属部の対を形成した後、対となる電極間に電圧を印加し且つ絶縁層の前記一表面側に炭素を含む原料ガスを供給して対となる触媒金属部間にカーボンナノチューブを成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
IPC (2件)：
C01B 31/02 ,  H01J 9/02
FI (2件)：
C01B31/02 101F ,  H01J9/02 B
Fターム (20件)：
4G146AA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC18 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA33 ,  5C127AA01 ,  5C127BA09 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127DD08 ,  5C127DD32 ,  5C127EE02 ,  5C127EE20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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