特許
J-GLOBAL ID：200903004073493782
半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-334179
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144935
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 高周波帯域における素子間絶縁分離の改良【構成】 第1の絶縁膜1を挟み込んで接合した2枚の単結晶シリコン基板10,20と、一方のシリコン基板10の各素子形成領域6aの周囲において、第1の絶縁膜1に略垂直方向にシリコン基板10の表面から第1の絶縁膜1に至るように形成された分離溝3と、分離溝3の内表面に形成された第2の絶縁膜4と、第1の絶縁膜1及び第2の絶縁膜4で被覆された分離溝3に充填された多結晶シリコン壁5とから成る半導体集積回路において、多結晶シリコン壁5を、濃度1×1016/cm3 以上に不純物でドープし、その多結晶シリコン壁5をアースに接続した。各素子形成領域は第2の絶縁膜4及び伝導性のある多結晶シリコン壁5により対アース間で浮遊容量が形成され、素子間の高周波結合がなくなる。
請求項（抜粋）：
第1の絶縁膜を挟み込んで接合した2枚の単結晶シリコン基板と、前記一方のシリコン基板の各素子形成領域の周囲において、前記第1の絶縁膜に略垂直方向に前記シリコン基板の表面から前記第1の絶縁膜に至るように形成された分離溝と、前記分離溝の内表面に形成された第2の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜で被覆された前記分離溝に充填された多結晶シリコン壁とから成る半導体集積回路において、前記多結晶シリコン壁は、濃度1×1016/cm3 以上に不純物でドープされており、前記多結晶シリコン壁は、アースに接続されていることを特徴とする半導体集積回路。
引用特許：
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