特許
J-GLOBAL ID:200903004078064022

半導体集積回路装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-104584
公開番号(公開出願番号):特開2005-277427
出願日: 2005年03月31日
公開日(公表日): 2005年10月06日
要約:
【課題】 ポリメタルゲート加工後の基板表面の酸化物汚染を低レベルに保つ。【解決手段】 タングステン(W)膜を含むゲート電極形成し、続いて再酸化処理を行った後、W存在領域とWO4の負イオン存在領域の境界近傍の性質を持ち、pH6.5〜12の範囲で還元電位の領域にある水または薬液により、ウエハの表面をウェット洗浄することにより、不純物のイオン注入時に酸化物汚染がゲート絶縁膜中にノックオンされるのを防ぐ。【選択図】 図21
請求項(抜粋):
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法: (a)ウエハの第1の主面上に高融点金属膜をパターン形成する工程; (b)水素と水分とを含む混合ガス雰囲気中において、前記高融点金属膜を酸化することなく、前記ウエハの前記第1の主面上のシリコンを主要な成分として含む部分に対して、摂氏600度以上の第1の温度で酸化処理を施す工程; (c)前記(b)工程の後、過酸化水素を実質的に含まない中性または弱アルカリ性で、前記高融点金属-水系の酸化還元電位とpH状態図においてpH6.5〜12の範囲で還元電位の領域にある水または薬液により、前記ウエハの前記第1の主面を洗浄する工程。
IPC (13件):
H01L21/8234 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (10件):
H01L27/08 102C ,  H01L21/316 S ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 621C ,  H01L27/10 671Z ,  H01L27/10 681F ,  H01L29/78 371 ,  H01L21/88 M ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 301G
Fターム (191件):
4M104BB01 ,  4M104BB28 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD16 ,  4M104DD42 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD65 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104DD91 ,  4M104DD99 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104GG19 ,  4M104HH07 ,  4M104HH20 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH03 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH28 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ04 ,  5F033KK01 ,  5F033LL04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN40 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX00 ,  5F033XX09 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BE03 ,  5F048BF04 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF55 ,  5F058BF63 ,  5F058BF75 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD01 ,  5F083AD10 ,  5F083AD24 ,  5F083AD31 ,  5F083AD48 ,  5F083AD62 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP55 ,  5F083ER22 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR12 ,  5F083PR13 ,  5F083PR21 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083ZA06 ,  5F083ZA12 ,  5F101BA01 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BD35 ,  5F101BD45 ,  5F101BE07 ,  5F101BH02 ,  5F101BH03 ,  5F101BH16 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AA28 ,  5F140AB03 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF08 ,  5F140BF18 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF22 ,  5F140BF27 ,  5F140BF30 ,  5F140BF34 ,  5F140BF38 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG20 ,  5F140BG22 ,  5F140BG26 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG31 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38
引用特許:
出願人引用 (35件)
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審査官引用 (4件)
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