特許

J-GLOBAL ID：200903004085126793

半導体モジュール及び放熱用絶縁板

発明者： 川畑 圭司 ,  小阪田 明義 ,  中野 澄夫
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
代理人 (1件)： 加古 宗男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-064348
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269392
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体モジュールの放熱構造の部品点数削減、低コスト化を実現する。【解決手段】 セラミック基板22をアルミナ等により形成し、その両面にW又はMoの厚膜メタライズ層23,24を同時焼成により形成する。セラミック基板22の上面のメタライズ層23には、チップ搭載用のCu板25(又はMo板)をAgろう材26により接合し、このCu板25(又はMo板)上に半導体チップ27を高温半田28により搭載する。セラミック基板22の下面のメタライズ層24には、ヒートシンク29をAgろう材30により接合する。このヒートシンク29は、熱膨張率がセラミック基板22(アルミナ等)に近い合金、例えばCu-Mo、Cu-W、Moのいずれかにより形成されている。

請求項（抜粋）：

ヒートシンク上にセラミック基板を介してチップ搭載用の金属板を設け、この金属板上に半導体チップを搭載した半導体モジュールであって、前記セラミック基板の両面にメタライズ層を形成し、上面のメタライズ層と前記チップ搭載用の金属板との間及び下面のメタライズ層と前記ヒートシンクとの間をそれぞれろう付けにより接合したことを特徴とする半導体モジュール。

IPC (2件)：

H01L 23/373 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 23/36 M ,  H01L 23/12 J

Fターム (6件)：

5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01 ,  5F036BD13