特許
J-GLOBAL ID：200903004086221560

パラジウムまたはパラジウム合金被覆多孔質体の製造方法

発明者：
蔵岡 孝治

蔵岡 孝治 について

, 
矢澤 哲夫

矢澤 哲夫 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-382522
公開番号（公開出願番号）：特開2003-183840
出願日： 2001年12月17日
公開日（公表日）： 2003年07月03日
要約：
【要約】【課題】簡便にパラジウム触媒を付与することにより、効率よくパラジウムまたはパラジウム合金被覆多孔質体を製造する方法を提供する。【解決手段】パラジウム化合物を多孔質体に蒸着した後、水素還元することによりパラジウム粒子を多孔質体の細孔内に担持させるか、またはパラジウム源気化室においてパラジウム化合物を気化させ、気化したパラジウム化合物をキャリアガスと同伴させることにより反応室へ導入し、反応室において気化したパラジウム化合物を多孔質体に蒸着し、必要に応じて、水素還元することによりパラジウム粒子を多孔質体の細孔内に担持させた後、無電解めっきによりパラジウムまたはパラジウム合金を多孔質体の細孔内にめっきすることを特徴とするパラジウムまたはパラジウム合金被覆多孔質体の製造方法。
請求項（抜粋）：
パラジウム化合物を多孔質体に蒸着した後、水素還元することによりパラジウム粒子を多孔質体の細孔内に担持させ、その後、無電解めっきによりパラジウムまたはパラジウム合金を多孔質体の細孔内にめっきすることを特徴とするパラジウムまたはパラジウム合金被覆多孔質体の製造方法。
IPC (4件)：
C23C 18/18 ,  C01B 3/56 ,  C23C 18/31 ,  C23C 18/42
FI (5件)：
C23C 18/18 ,  C01B 3/56 Z ,  C23C 18/31 A ,  C23C 18/31 E ,  C23C 18/42
Fターム (14件)：
4G040FA06 ,  4G040FB09 ,  4G040FC01 ,  4G040FE01 ,  4K022AA03 ,  4K022AA04 ,  4K022AA37 ,  4K022AA41 ,  4K022BA18 ,  4K022CA06 ,  4K022CA07 ,  4K022DA01 ,  4K022DB11 ,  4K022DB30
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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