特許
J-GLOBAL ID：200903004086456355
化合物半導体基板の研磨方法と研磨装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-011399
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201786
出願日： 1994年01月05日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体基板を、研磨液によって研磨すると、残留した研磨液のために基板の表面が腐食される。これを防ぐことが目的である。【構成】 半導体ウエハを研磨液を供給しながら研磨した後に、ウエハを持ち上げ、研磨布から離し、ウエハの下面に、直接に洗浄液を噴射し、ウエハの表面を洗浄する。研磨液を完全に除去することができるので基板表面の腐食を防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体ウエハを研磨液を用いて研磨した後、ウエハを持ち上げて、ウエハの表面に直接に、純水または研磨停止剤、あるいは研磨停止剤を含んだ水を噴射してウエハの表面に付着した研磨液を除去するようにしたことを特徴とする化合物半導体基板の研磨方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 37/04
, H01L 21/306
