特許
J-GLOBAL ID：200903004087824790
化合物半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-025597
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224881
出願日： 1998年02月06日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】ソース抵抗およびドレイン抵抗を低減した化合物電界効果半導体装置を提供する。【解決手段】 化合物半導体よりなるチャネル領域12Bにゲート電極13をマスクにイオン注入した後、熱拡散を行って拡散領域12C,12Dを形成する際に、チャネル領域12Bの表面を、ゲート電極13の側壁面に密接する化合物半導体よりなり、拡散領域12C,12Bと同じ導電型を有する保護膜17A,17Bにより覆う。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成されたチャネル層と、前記チャネル層上に形成されたゲート電極と、前記チャネル層中、前記ゲート電極の両側に形成された、第1の導電型を有する第1および第2の拡散領域とを備えた化合物半導体装置において、前記チャネル層上、前記ゲート電極の両側に、前記ゲート電極のそれぞれの側壁面に接して、それぞれ前記第1および第2の拡散領域を覆うように形成された、前記第1の導電型を有する化合物半導体よりなる第1および第2の保護膜と、前記第1および第2の保護膜上にそれぞれ形成された、第1および第2のオーミック電極とを備えたことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
