特許

J-GLOBAL ID：200903004088458746

半導体装置の作製方法及び半導体処理装置

発明者： 山崎 舜平 ,  武内 晃 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-236304
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110741
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路等の半導体素子の作製において、清浄度の高いプロセスを得るための作製装置(システム)を提供する。【解決手段】 半導体素子の作製に供する複数の真空装置(成膜装置、エッチング装置、熱処理装置、予備室等)を有するマルチチャンバー・システムにおいて、少なくとも1つはレーザー照射装置であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

成膜するための第1のチャンバーと、レーザー光を照射するための第2のチャンバーと、を有する半導体処理装置を用い、前記第1のチャンバーで基板上に半導体膜を成膜し、前記基板を外気にさらすことなく、前記第1のチャンバーから前記第2のチャンバーへ前記基板を移動し、前記第2のチャンバーで、前記半導体膜にレーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (8件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/68 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/268 G ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/302 C ,  H01L 29/78 627 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-286370
  
• 特開平4-286367
  
• 特開平4-278925
  
• 特開平4-251921