特許

J-GLOBAL ID：200903004092646433

後面接地型フリップチップ半導体パッケージ

発明者： ジョン、イン ホ ,  キム、ナム フン
出願人/特許権者： サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド.
代理人 (1件)： 龍華 明裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-232263
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067407
出願日： 2006年08月29日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【課題】チップで発生する熱を、後面接地を通して放出して放熱特性を向上させることが可能であり、寄生成分の発生なしに電気的な接地を形成して電気的な特性を向上させることができる半導体パッケージを提供する。【解決手段】基板110と、上記基板110にパターン印刷された回路と電気的に連結されるように上記基板110の上部面にフリップチップボンディングされる少なくとも一つのチップ120と、上記チップ120の後面接地125が外部に露出されるように上記基板110上に成形させるモールド部130と、上記後面接地125と電気的に連結されるように上記モールド部130の外部面に備える導電金属層140とを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板にパターン印刷された回路と電気的に連結されるように前記基板の上部面にフリップチップボンディングされる少なくとも一つのチップと、 前記チップの後面接地が外部に露出されるように前記基板上に成形させるモールド部と、 前記後面接地と電気的に連結されるように前記モールド部の外部面に備える導電金属層とを含む後面接地型フリップチップ半導体パッケージ。

IPC (4件)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/12 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (3件)：

H01L23/28 F ,  H01L23/12 E ,  H01L25/04 Z

Fターム (5件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109DB02 ,  4M109EC06 ,  4M109EE07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特表平7-503579
  
• 特表平7-503579
  
• 半導体実装構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-194404   出願人：日本電気エンジニアリング株式会社
• 特表平7-503579