特許
J-GLOBAL ID：200903004094733856
光電変換素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-248736
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088397
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 分光特性が良好で、且つオン電流を大きくとれる光電変換素子を提供する。【構成】 下部ゲート電極13Aと上部ゲート電極22との間に挟まれる半導体層を微結晶シリコン膜15とa-Si膜16の2層でなる積層構造としたことにより、受光面側のa-Si膜16が分光特性を良好にし、微結晶シリコン膜15がオン電流を大きくとる作用を有する。このため、分光特性とオン電流とが良好に得られる光電変換素子を実現する効果がある。
請求項（抜粋）：
半導体層及びソース・ドレインを挟んでその両側にそれぞれゲート絶縁膜を介して該半導体層と対向するゲート電極を持つ光電変換素子において、前記半導体層が、微結晶シリコン膜と非晶質シリコン膜との2層を有し、該半導体層の受光面側に非晶質シリコン膜が形成され、該半導体層のチャネルが形成される側に微結晶シリコン膜が形成されることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 E
, H01L 29/78 622
