薄膜半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鳥居洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-154127
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342912
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】構造的にはチャネル部が高温になるのを抑制することができ、又、その製造工程においては低温プロセスを実現できる薄膜半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】絶縁性基板1よりは熱伝導性に優れた下地層2を、後に形成されるアイランド状a-Si膜4よりも大きい範囲に形成した後、絶縁膜3を介して前記下地層2の形成エリア内にアイランド状のa-Si膜4を形成し、次いで上記アイランド状のa-Si膜4の形成範囲を含みこれよりも大きい範囲にエネルギービーム5を照射して再結晶化する。このとき、下地層が昇温度し、再結晶化がこの昇温状態にある下地層からの熱を受けながら行われ、poly-Si膜4′の大粒径化が図れる。また、完成された薄膜半導体装置は、チャネル部で発生した熱を下地層2により放熱することができる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板とその上面にアイランド状に形成された半導体膜との間に、少なくとも上記絶縁性基板よりは熱伝導性に優れた下地層がアイランド状に形成されていることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 X , H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-323876
特開昭62-181419
特開昭62-282430

前のページに戻る