特許
J-GLOBAL ID:200903004099226740

MOS型固体撮像装置とその駆動方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-130732
公開番号(公開出願番号):特開2004-335803
出願日: 2003年05月08日
公開日(公表日): 2004年11月25日
要約:
【課題】ダイナミックレンジを拡大できる構造を持ったMOS型固体撮像装置を提供する。【解決手段】半導体基板の表面に複数の受光部がアレー状に配列され各受光部の信号を受光部毎に読み出すMOS型固体撮像装置において、各受光部に、入射光量に応じた信号を検出する第1信号電荷検出部31と、第1信号電荷検出部31による検出信号が飽和したとき第1信号電荷検出部31の過剰電荷の一部を捕獲し捕獲電荷量に応じた信号を検出する第2信号電荷検出部32とを設ける。好適には、第2信号電荷検出部32は、遮光膜開口部34aを避けた完全遮光位置に設ける。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
半導体基板の表面に複数の受光部がアレー状に配列され各受光部の信号を受光部毎に読み出すMOS型固体撮像装置において、前記各受光部に、入射光量に応じた信号を検出する第1信号電荷検出部と、該第1信号電荷検出部による検出信号が飽和したとき該第1信号電荷検出部の過剰電荷の一部を捕獲し捕獲電荷量に応じた信号を検出する第2信号電荷検出部とを設けたことを特徴とするMOS型固体撮像装置。
IPC (2件):
H01L27/146 ,  H04N5/335
FI (4件):
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 P ,  H04N5/335 U
Fターム (16件):
4M118AA02 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA22 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA16 ,  4M118GB06 ,  4M118GC09 ,  4M118GC14 ,  4M118GD04 ,  5C024CX43 ,  5C024GX02 ,  5C024GY31 ,  5C024HX28

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