特許
J-GLOBAL ID：200903004100588103
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-209759
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036902
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 低抵抗温度係数で高抵抗の抵抗素子を得る。【構成】 2〜9atm%の酸素を含有した多結晶シリコン膜で抵抗素子を形成する。
請求項（抜粋）：
2〜9atm%の酸素を含有した多結晶シリコン膜からなる抵抗素子を有することを特徴とする半導体装置
IPC (2件)：
H01L 27/04
, H01L 27/10 371
