特許

J-GLOBAL ID：200903004101636950

半導体イオンセンサ及びその使用方法

発明者： 有本 由弘
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227701
公開番号（公開出願番号）：特開平8-094577
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 測定環境(光及び温度等)による影響を低減し,イオン感応膜の活性化が容易なISFET を実現し,測定の信頼度を向上する。【構成】 1)MOS FET を用いたイオンセンサであって,基板上に第1の絶縁膜を介してソース,チャネル領域,ドレインが横方向にこの順に形成された半導体層と,半導体層上に第2の絶縁膜を介して被着されたイオン感応膜と,チャネル領域に対向し且つ該チャネル領域と離反して第1の絶縁膜内に埋め込まれたゲート電極とを有する半導体イオンセンサ,2)半導体層の厚さは 0.1μm以下である,3)ゲート電極に印加する電圧を変化させてチャネル領域の電位を調整することにより,感度を調節する,4)ゲート電極に電圧を印加し,チャネル領域をオンにしてドレイン電流を流してチャネル領域を加熱してイオン感応膜の吸着イオンを離脱させる。

請求項（抜粋）：

MOS FET を用いたイオンセンサであって,基板上に第1の絶縁膜を介してソース,チャネル領域,ドレインが横方向にこの順に形成された半導体層と,該半導体層上に第2の絶縁膜を介して被着されたイオン感応膜と,該チャネル領域に対向し且つ該チャネル領域と離反して該第1の絶縁膜内に埋め込まれたゲート電極とを有することを特徴とする半導体イオンセンサ。

IPC (3件)：

G01N 27/414 ,  G01N 27/416 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

G01N 27/30 301 Z ,  G01N 27/46 353 Z ,  H01L 29/78 301 T