特許

J-GLOBAL ID：200903004108592827

CVD処理用ウエハ収容トレー

発明者： 大山 勝美 ,  蜂谷 昌幸
出願人/特許権者： 日立電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-293553
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115840
出願日： 1995年10月17日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 ウエハのCVD処理において、良好な薄膜を形成するためのウエハ収容トレーを提供する。【解決手段】 導電体、半導体、絶縁物、または表面を絶縁処理した導電体のいずれかを材料としてベース円板3a を成型し、その上面に、段階状または皿状をなし、被処理のウエハ2が嵌入して収容し、底面を粗面または鏡面とする凹部3b を形成して構成される。

請求項（抜粋）：

反応炉の内部に設けた均熱板に載置され、所定の温度に加熱された被処理のウエハに対して、反応ガスを噴射し、該反応ガスに高周波電圧を加圧してプラズマ化して、該ウエハの表裏の両面または表面に薄膜を形成するプラズマCVD装置において、前記反応炉外で被処理のウエハを収容して搬送し、前記均熱板に載置して該収容されたウエハをCVD処理して前記薄膜の形成を行うことを特徴とする、CVD処理用ウエハ収容トレー。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  B65D 85/86 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/68

FI (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 H ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/68 U ,  B65D 85/38 R