特許

J-GLOBAL ID：200903004109061094

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 荒井 利行 ,  河合 亮成 ,  土山 洋史 ,  金井 史幸 ,  中林 伸一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-118413
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313757
出願日： 2001年04月17日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 ウェハのエッジにおける薄膜の剥離に起因する異物の発生を防ぐ。【解決手段】 たとえば3個の研磨ドラム4A〜4Cを用いてウェハ1のエッジの全域を研磨する。研磨ドラム4Aは相対的にウェハ1のエッジの上面側を研磨し、研磨ドラム4Bは相対的にウェハ1のエッジの中央を研磨し、研磨ドラム4Cは相対的にウェハ1のエッジの下面を研磨する。

請求項（抜粋）：

(a)半導体ウェハの表面に単層または積層の第1絶縁膜を成膜する工程、(b)前記半導体ウェハのエッジにおける前記第1絶縁膜を除去する工程、(c)前記(b)工程後に、前記第1絶縁膜をパターニングする工程、(d)前記(c)工程後に、前記第1絶縁膜をマスクとして前記半導体ウェハをエッチングする工程、(e)前記(d)工程後に、前記第1絶縁膜上を含む前記半導体ウェハ上に第2絶縁膜を成膜する工程、(f)前記第2絶縁膜の表面を機械的および化学的に研磨し、その表面を平坦化する工程、を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/76

FI (7件)：

H01L 21/304 621 B ,  H01L 21/304 621 E ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/304 622 Y ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/76 Z

Fターム (53件)：

5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA77 ,  5F032BA00 ,  5F032CA17 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP21 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX00

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-199542   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-185810   出願人：株式会社日立製作所
• 銅配線の形成方法および銅配線の形成された半導体ウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-248635   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法およびその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-354317   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-002922   出願人：セイコーエプソン株式会社