特許

J-GLOBAL ID：200903004110838655

半導体ウィスカー探針及びその製造方法

発明者： 佐藤 俊彦 ,  比留間 健之 ,  白井 正敬 ,  原口 恵一 ,  勝山 俊夫 ,  嶋田 寿一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-135370
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008442
出願日： 1994年06月17日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】半導体の、金属とは異なる電子状態の特徴、及び、半導体加工技術の高い寸法精度、を利用した半導体ウィスカーによる極微細探針を製作し、走査プローブ顕微鏡技術を微細加工、大容量記憶装置へ適用する。【構成】基板上に所定の位置に少なくとも1つの針状部を形成する。【効果】半導体製の探針を用いることによって、磁区の分布など、従来にない試料の物性の評価、観測が行えるようになった。また、半導体製のウィスカーを用いることによって、複数探針が得られ、従来の10倍の速度で走査プローブ顕微鏡像の取得が可能となった。また、試料表面の局所的な作用が伝搬して行く様子を、ナノメータスケールの位置分解能で観測可能となった。さらに、プローブ顕微鏡を用いたナノメータサイズの微細加工を、従来の10倍の速度で行うことができた。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたスペーサ層と、上記スペーサ層上の所定の位置に形成された少なくとも1つの針状部とを有することを特徴とする半導体ウィスカー探針。

IPC (6件)：

H01L 29/80 ,  G01N 37/00 ,  G11B 9/04 ,  H01J 37/28 ,  G01B 21/30 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 29/80 A ,  H01L 21/30 541 Z