特許
J-GLOBAL ID：200903004110978260
LiMn2O4薄膜電極およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 順三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-224678
公開番号（公開出願番号）：特開平10-055797
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 正極基板と正極材料との界面での密着性に優れた LiMn2O4薄膜電極の製造技術を確立し、これによって、電池特性のさらなる向上を図ること。【解決手段】 水溶性リチウム塩と硝酸マンガン(Mn(NO3)2)の水溶液にジエチレングリコール、グリセロールおよびホルムアルデヒドから選ばれるいずれか単独の溶媒または2以上からなる混合溶媒を添加して得られる溶液を、正極基板上に作用させることにより、その表面に結晶性スピネル型 LiMn2O4の薄膜を形成させてなる LiMn2O4薄膜電極とその薄膜電極を有利に製造する方法を提案する。
請求項（抜粋）：
正極基板上に結晶性スピネル型 LiMn2O4の薄膜を形成してなる薄膜電極であって、前記結晶性スピネル型 LiMn2O4の薄膜が、水溶性リチウム塩と硝酸マンガン(Mn(NO3)2)の水溶液にジエチレングリコール、グリセロールおよびホルムアルデヒドから選ばれるいずれか単独の溶媒または2以上からなる混合溶媒を添加して得られる溶液の塗布、乾燥、焼き付け、焼成によって得られたものであることを特徴とする LiMn2O4薄膜電極。
IPC (4件)：
H01M 4/02
, C23C 24/08
, H01M 4/04
, H01M 4/58
H01M 4/02 C
, C23C 24/08 A
, H01M 4/04 A
, H01M 4/58
