特許
J-GLOBAL ID：200903004113340194
露光過程中のスカムを抑制するリソグラフィ方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-232288
公開番号（公開出願番号）：特開2008-242413
出願日： 2007年09月07日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】スカムの発生を抑制する。【手段】ラインパターン及びパッドパターンを含む原本レイアウトを設計して、パッドパターンを抽出した後、パッドパターンのレイアウトに対して第1縮小幅に縮小された第1縮小レイアウトを得る。パッドパターンのレイアウトに対して第1縮小幅より大きい第2縮小幅に縮小された第2縮小レイアウトを得た後、第1縮小レイアウトから第2縮小レイアウトを差引してパッドパターンのレイアウトに自己整列される補助パターンのレイアウトを得る。原本レイアウトから補助パターンのレイアウトを差引して原本レイアウトに補助パターンを生成させて、補助パターンが生成されたレイアウトを半導体基板上に露光過程によって転写する露光過程中のスカムを抑制するリソグラフィ方法を提供する。【選択図】図12
請求項１：
ラインパターン及びパッドパターンを含む原本レイアウトを設計する段階、
前記原本レイアウトから前記パッドパターンを抽出する段階、
前記抽出されたパッドパターンのレイアウトに対して第1縮小幅に縮小された第1縮小レイアウトを得る段階、
前記パッドパターンのレイアウトに対して前記第1縮小幅より大きい第2縮小幅に縮小された第2縮小レイアウトを得る段階、
前記第1縮小レイアウトから前記第2縮小レイアウトを差引して前記パッドパターンのレイアウトに自己整列される補助パターンのレイアウトを得る段階、
前記原本レイアウトから前記補助パターンのレイアウトを差引して前記原本レイアウトに補助パターンを生成させる段階、及び
前記補助パターンが生成されたレイアウトを半導体基板上に露光過程によって転写する段階を含む露光過程中のスカムを抑制するリソグラフィ方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, H01L 21/027
, G03F 7/20
G03F1/08 A
, H01L21/30 514C
, G03F7/20 521
2H095BA01
, 2H095BA02
, 2H095BB01
, 2H095BB02
, 5F046AA25
, 5F046BA03
, 5F046CB17
, 5F046DA06
