シリコンのエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-077296
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243377
出願日： 2002年02月12日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】シリコンの異方性エッチングにおいて高速にエッチングしようとするとエッチング側壁の段差(荒れ)が生じる。またこの荒れを押さえる方法ではマイナス100°Cに冷却する必要があるなど煩雑である。エッチングの荒れや煩雑さを伴わずにシリコンを高速に異方性エッチングする方法を提供する。【解決手段】添加ガスとして二酸化イオウを使用することによりエッチング側壁の段差(荒れ)を生じることなくまたマイナス100°Cの極低温を用いることもなくシリコンを高速に異方性エッチングする。

請求項１：

二酸化イオウをエッチング添加ガスとして用いることを特徴とするシリコンエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , B81C 1/00

FI (2件)：

B81C 1/00 , H01L 21/302 105 A

Fターム (6件)：

5F004AA02 , 5F004DA00 , 5F004DA18 , 5F004DB01 , 5F004EB04 , 5F004EB05

前のページに戻る