特許
J-GLOBAL ID：200903004125424563
薄膜電子部品及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-179136
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347212
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】【目的】 導電性を確保するための主導体薄膜として安価で導電性の良い銅薄膜を採用した場合の問題点を、銅薄膜の上下に別金属の薄膜を設けることで解決し、安価で信頼性の高い薄膜導電層を基板上に形成可能とする。【構成】 絶縁基板10又は絶縁膜上にクロム薄膜11、銅薄膜12、ニクロム薄膜13の順に積層して薄膜導電層を形成した構成であり、クロム薄膜11で基板10への付着性を改善し、ニクロム薄膜13で絶縁膜を設けたときの銅薄膜12の酸化等を防止している。
請求項（抜粋）：
絶縁基板又は絶縁膜上にクロム薄膜、銅薄膜、ニクロム薄膜の順に積層して薄膜導電層を形成したことを特徴とする薄膜電子部品。
IPC (2件)：
H01F 17/00
, H01G 4/06 102
