特許

J-GLOBAL ID：200903004130032231

画像表示装置及びその製造方法

発明者： 秋元 肇
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-206080
公開番号（公開出願番号）：特開2000-039624
出願日： 1998年07月22日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】多画素化に対応するための周辺回路の性能向上を図る上で、周辺回路と画素部TFTの個別最適設計が困難であった。【解決手段】上記課題は、画素部のpoly-Si TFTのゲートをチャネルを構成する多結晶Si薄膜の一方側に、周辺回路部の一部のpoly-Si TFTのゲートをチャネルを構成する多結晶チャネルの他方側に配置することにより解決される。

請求項（抜粋）：

画素スイッチ手段と、電気光学効果を生じる物質に電界を印加するための、前記画素スイッチに接続された画素電極とを備え、マトリクス状に配列された複数の画素と; 該画素電極と協働して前記電気光学効果を生じる物質を駆動する共通電極と; 前記画素スイッチ手段に接続され、該画素スイッチ手段を所定の順序で駆動する為の、互いに平行に延在する複数のゲート線と; 該ゲート線を駆動するためのゲート線駆動手段と; 前記画素スイッチ手段の選択されたものを介して、上記画素電極に信号電圧を入力するための、前記ゲート線に対し交叉する方向に延在する複数の信号線と; 該複数の信号線の各々に表示信号電圧を印加する表示信号電圧印加手段とを備えた画像表示装置において、前記画素スイッチ手段は第1の構造の3端子多結晶Si薄膜トランジスタからなり、 前記表示信号電圧印加手段は第2の構造の3端子多結晶Si薄膜トランジスタを含み、 前記第1の構造の3端子多結晶Si薄膜トランジスタのゲートはゲート絶縁膜を介して、薄膜トランジスタのチャネルを構成する第1の多結晶Si薄膜の第1の面側に配設され、 前記第2の構造の3端子多結晶Si薄膜トランジスタのゲートはゲート絶縁膜を介して、薄膜トランジスタのチャネルを構成する第2の多結晶Si薄膜の第1の面側に配設され、 前記第1の多結晶Si薄膜と前記第2の多結晶Si薄膜とは同一基板上のほぼ同一平面上に配設され、かつ前記第1の多結晶Si薄膜の前記第1の面側と前記第2の多結晶Si薄膜の前記第1の面側とは、前記同一平面を挟んで互いに反対側にあることを特徴とする画像表示装置。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/35 305 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/35 305 ,  H01L 29/78 612 B

Fターム (46件)：

2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA35 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB54 ,  2H092JB57 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA22 ,  2H092KB14 ,  2H092KB23 ,  2H092KB24 ,  2H092MA07 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092RA05 ,  5C094AA13 ,  5C094AA23 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA14 ,  5C094DA09 ,  5C094DA15 ,  5C094FB15