特許
J-GLOBAL ID：200903004134303841
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-185190
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031391
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】SIPP等の高速プログラミング法で、目標とするしきい値電圧の許容幅が狭い場合に高速性を維持しながら高精度なしきい値電圧変更ができない。【解決手段】 当該不揮発性半導体記憶装置は、複数の電圧レベルV1 〜V5を有する書き込み信号Vpgm (又は消去信号)の制御電極への印加に応じて、制御電極下方の電荷蓄積層に対して電荷の授受が行われ、当該電荷蓄積層の蓄積電荷量に応じて情報を記憶する記憶素子(例えば、メモリトランジスタ)を有する。書き込み信号Vpgm (又は消去信号)を、その電圧レベルV1 〜V5 が所定の時間おきに漸増し、かつ当該電圧レベルの増加幅ΔV2 〜ΔV5 が次第に小さくなるように制御をしながら出力するレベル調整回路を有する。
請求項（抜粋）：
複数の電圧レベルを有する書き込み又は消去信号の制御電極への印加に応じて、制御電極下方の電荷蓄積層に対して電荷の授受が行われ、当該電荷蓄積層の蓄積電荷量に応じて情報を記憶する記憶素子を有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記書き込み又は消去信号を、その電圧レベルが所定の時間おきに漸増し、かつ当該電圧レベルの増加幅が次第に小さくなるように電圧レベルを制御をしながら出力するレベル調整回路を有する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 611 E
, G11C 17/00 634 F
