特許

J-GLOBAL ID：200903004136621859

相変化メモリ素子及びその製造方法

発明者： 姜 ▲ヨン▼浩
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-148556
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019475
出願日： 2006年05月29日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板に形成された下部電極と、基板上に下部電極を覆い、下部電極を露出させるコンタクトホールが形成された第1絶縁層と、コンタクトホールに形成された導電性コンタクトと、第1絶縁層上に導電性コンタクトに対応するホールが形成された第2絶縁層と、ホールを充填した相変化物質膜と、第2絶縁層上に相変化物質膜の上面を覆う上部電極と、を備え、相変化物質膜及び上部電極は、その中心が配列されており、上部電極の幅は、相変化物質膜の幅より広いことを特徴とする相変化メモリ素子である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上の下部電極と、 前記基板上で前記下部電極を覆い、前記下部電極を露出させる第1ホールが形成された第1絶縁層と、 前記第1ホールに形成された導電性コンタクトと、 前記第1絶縁層上で前記導電性コンタクトに対応する第2ホールが形成された第2絶縁層と、 前記第2ホールを充填した相変化物質膜と、 前記第2絶縁層上に前記相変化物質膜の上面を覆う上部電極と、を備えることを特徴とする相変化メモリ素子。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00

FI (2件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

Fターム (9件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR03 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40