特許

J-GLOBAL ID：200903004136963938

磁気記録再生装置

発明者： 星屋 裕之 ,  光岡 勝也 ,  佐藤 雅章 ,  荒井 礼子 ,  添谷 進 ,  福井 宏 ,  府山 盛明 ,  佐藤 文夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-393103
公開番号（公開出願番号）：特開2002-304712
出願日： 1993年02月05日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】記録密度の高い磁気記録装置を提供する。【解決手段】信号を磁気的に記憶する磁気記録媒体と、該磁気記録媒体から漏洩する磁界を検出する磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドとを有し、前記薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子は2対の磁性膜の間にそれぞれ非磁性導電膜20を挟んだ多層膜10であり、前記多層膜10は、外部磁界に感応してその磁化が回転する磁性膜12と、該磁性膜に対して対称に配置され、その磁化方向が外部磁界に対して固定された一対の磁性膜11,を有する。

請求項（抜粋）：

信号を磁気的に記憶する磁気記録媒体と、該磁気記録媒体から漏洩する磁界を検出する磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドとを有し、前記薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子は2対の磁性膜の間にそれぞれ非磁性導電膜を挟んだ多層膜であり、前記多層膜は、外部磁界に感応してその磁化が回転する磁性膜と、該磁性膜に対して対称に配置され、その磁化方向が外部磁界に対して固定された一対の磁性膜を有し、前記非磁性導電膜の厚さt(Å)が、前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗率ρ(μΩcm)に対して、t×ρ<100であることを特徴とする磁気記録再生装置。

IPC (2件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z

Fターム (5件)：

5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BB08 ,  5D034CA08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-018430   出願人：株式会社日立製作所
• 磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-341688   出願人：株式会社日立製作所