特許
J-GLOBAL ID：200903004139867190

プラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置

発明者：
今福 光祐

今福 光祐 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-138937
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332314
出願日： 2002年05月14日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：
【要約】【課題】 従来に比べてランニングコストを低減することができ、半導体装置等の製造コストの低減を図ることができるプラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 上部電極20は、全体の形状が略円板状となるように構成されており、多数のガス吐出孔21が設けられた内側部材200(第1の部材)と、この内側部材200の周囲を囲むように環状に構成された外側部材201(第2の部材)とを具備しており、プラズマ処理を行うことによって消耗した時点で、内側部材200のみを交換できるように構成されている。
請求項（抜粋）：
被処理基板を収容してプラズマ処理するための真空チャンバ内に配設され、対向電極との間に高周波電力が印加されるプラズマ処理装置用電極であって、少なくとも、前記被処理基板に向けて所定の処理ガスを供給する複数のガス吐出孔を有し且つ前記被処理基板との対向面を形成する第1の部材と、前記第1の部材の周囲又は前記第1の部材の前記対向面とは反対側の面に接して配設される第2の部材とを着脱自在に一体化して構成し、プラズマ処理を行うことによって消耗した際に、前記第1の部材のみを交換可能としたことを特徴とするプラズマ処理装置用電極。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/509
FI (2件)：
C23C 16/509 ,  H01L 21/302 101 B
Fターム (13件)：
4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030KA15 ,  4K030KA17 ,  4K030KA46 ,  5F004AA16 ,  5F004BA06 ,  5F004BA08 ,  5F004BB07 ,  5F004BB11 ,  5F004BB29 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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