特許

J-GLOBAL ID：200903004140858022

多層レジストのパターン形成方法

発明者： 及川 朗 ,  田中 裕之 ,  山東 伸明 ,  宮田 修一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-233681
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084787
出願日： 1992年09月01日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】本発明は半導体集積回路の製造におけるリソグラフィ技術への適用に適した多層レジストのパターン形成方法に関し、上層レジスト4下端でのパターン細り(ネガ型)やパターン裾拡がり(ポジ型)を防止して所望の上層レジストパターン4′を形成し、それにより中間層3、下層レジスト2および基板被エッチング層1のパターン形成時にパターン線幅を安定させることを目的とする。【構成】シリコン含有樹脂を含有する層の上に、酸発生剤を含有する上層レジストの層4を形成する工程を含む多層レジストのパターン形成方法において、該シリコン含有樹脂含有層の表面を疎水化処理し、次に、該シリコン含有樹脂含有層を変質させず且つ該疎水化処理剤を飛散させるに十分な温度で加熱処理した後に、該上層レジストを塗布するように構成する。

請求項（抜粋）：

シリコン含有樹脂を含有する層の上に、酸発生剤を含有する上層レジストの層を形成する工程を含む多層レジストのパターン形成方法において、該シリコン含有樹脂含有層の表面を疎水化処理剤にさらし、次に、該シリコン含有樹脂含有層を変質させず且つ該疎水化処理剤を飛散させるに十分な温度で加熱処理した後に、該上層レジストを塗布することを特徴とする多層レジストのパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511