特許

J-GLOBAL ID：200903004142727880

銅箔の表面処理方法

発明者： 高見 正人 ,  中島 千明 ,  廣瀬 勝 ,  石原 健二
出願人/特許権者： 福田金属箔粉工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-329384
公開番号（公開出願番号）：特開平10-168596
出願日： 1996年12月10日
公開日（公表日）： 1998年06月23日
要約：

【要約】【課題】 砒素、セレン、テルルなど毒性のある元素を使用せず容易な方法で均一かつ接着力の高い粗面化処理方法を開発すること。【解決手段】 銅箔の少なくとも一方の面を、酸洗工程の後、塩素イオン 1ppm〜1000ppm 含む硫酸酸性浴中で正負の交番パルス電解、又は交流電解をすることによる活性化処理工程により活性化、微細粗化し、続いて、硫酸、硫酸銅浴中で限界電流密度付近又はそれ以上で陰極電解することにより銅の突起物粗化を行い、さらに、銅めっきによる被覆層を形成させて銅箔の粗面化を行い、次いで防錆処理を行うことを特徴とする銅箔の表面処理方法であり、必要に応じて、酸洗工程と活性化処理工程の中間に、硫黄を含有する有機化合物を0.001 〜 0.5モル/l含む水溶液で処理させる、又は硫黄を含有するその有機化合物が酸洗工程の浴に含まれてもよい。さらにまた、適宜、正負の交番パルス電解時間を1サイクルあたり 0.2〜200ms とし、また、粗面化後、必要に応じて防錆処理がクロメ-ト処理及び/又は有機物防錆を施す。

請求項（抜粋）：

銅箔の少なくとも一方の面を、酸洗工程の後、塩素イオン 1ppm 〜1000ppm 含む硫酸酸性浴中で正負の交番パルス電解、又は交流電解をする活性化処理工程により活性化、微細粗化し、続いて、硫酸、硫酸銅浴中で限界電流密度付近又はそれ以上で陰極電解することにより銅の突起物粗化を行い、さらに、銅めっきによる被覆層を形成させる銅箔の粗面化を行い、次いで防錆処理を行うことを特徴とする銅箔の表面処理方法。