特許
J-GLOBAL ID：200903004147249595
半導体装置の製造方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-038091
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252102
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 下地層へのダメージが少なく、パターンプロファイルが良好で、さらに、下地層に対して選択比がとれるエッチング方法およびその装置を提供する。【構成】 イオンビーム打ち込み手段と加熱手段を設けた装置を用いて、被エッチング膜上の特定領域にイオンビームを打ち込んだ後に、熱処理を行い、被エッチング膜とイオンとを反応させ、気化させることによって、エッチングを行う。
請求項（抜粋）：
被エッチング膜のエッチング領域に、イオンを打ち込む第1の工程と、前記被エッチング膜のエッチング領域に、反応エネルギーを加える第2の工程であって、前記被エッチング膜を前記イオンと化学反応させることによって、気化させる第2の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/265
