特許

J-GLOBAL ID：200903004149700286

亜鉛-インジウム酸化物を含む透明導電体及び薄膜の作製方法

発明者： スー アン カーター ,  ロバート ジョセフ カヴァ ,  ジュイナイ レイニエン クウォ ,  ジュリア マエ フィリップス ,  ゴードン アルバート トーマス
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-287751
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227614
出願日： 1995年11月07日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【課題】 本発明は亜鉛-インジウム酸化物を含む透明導電体及び薄膜の作製方法を提供する。【解決手段】 出願人はInが金属元素の40〜75%である異原子価材料をドープした亜鉛-インジウム酸化物では、可視及び赤外の両方で透明性を増したまま、現在用いられている広禁制帯半導体と同程度の導電率が得られることを、発見した。材料は少量のたとえば四価原子のような異原子価ドーパントにより、1mΩ-cm以下の抵抗率にドープできる。それはガラス基板上に、アモルファス及び多結晶薄膜として堆積できる。

請求項（抜粋）：

インジウムが金属元素の40〜75原子%である亜鉛-インジウム酸化物を含む透明導電性材料。

IPC (4件)：

H01B 5/14 ,  C01G 15/00 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/28

FI (4件)：

H01B 5/14 A ,  C01G 15/00 B ,  H01B 13/00 503 B ,  H01L 21/28 Z