特許
J-GLOBAL ID：200903004151100857

メモリアクセス方法

発明者：
西村 昌樹

西村 昌樹 について


出願人/特許権者：
株式会社ニコン

株式会社ニコン について


代理人 (1件)： 木内 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-211667
公開番号（公開出願番号）：特開2008-041142
出願日： 2006年08月03日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：
【課題】高価な高速メモリを使用することなくランダムアクセス性能を向上させることができるメモリアクセス方法を提供する。【解決手段】シンクロナスDRAMのメモリアクセス方法において、同一のデータをシンクロナスDRAMの複数のバンクにそれぞれ書き込み、複数のバンクに対して所定の順序で順次アクティブコマンドを発行し、次に複数のバンクに対して所定の順序で順次リードコマンドを発行する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
シンクロナスDRAMのメモリアクセス方法において、 同一のデータを前記シンクロナスDRAMの複数のバンクにそれぞれ書き込み、前記複数のバンクに対して所定の順序で順次アクティブコマンドを発行し、次に前記複数のバンクに対して所定の順序で順次リードコマンドを発行することを特徴とするメモリアクセス方法。
IPC (2件)：
G11C 11/401 ,  G11C 11/407
FI (3件)：
G11C11/34 362H ,  G11C11/34 371H ,  G11C11/34 362S
Fターム (10件)：
5M024AA41 ,  5M024AA49 ,  5M024BB35 ,  5M024DD95 ,  5M024JJ02 ,  5M024JJ20 ,  5M024KK24 ,  5M024KK25 ,  5M024PP01 ,  5M024PP07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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