特許

J-GLOBAL ID：200903004153139335

窒化物半導体処理方法および窒化物半導体並びに窒化物半導体素子

発明者： 津田 有三
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-219123
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031552
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、窒化物半導体の表面モフォロジーもしくはその研磨傷を改善することを目的とする。【解決手段】 本発明は、窒化物半導体を加熱する工程と、前記窒化物半導体に、塩素系ガスと雰囲気ガスおよびアンモニアガスを導入する工程とを具備することによって、本発明の課題を解決することが可能である。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体を加熱する工程と、前記窒化物半導体に、塩素系ガス、雰囲気ガスおよびアンモニアガスを導入する工程とを具備することを特徴とする窒化物半導体処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 21/302 P ,  H01L 29/80 H

Fターム (33件)：

5F004AA06 ,  5F004AA07 ,  5F004AA11 ,  5F004BB26 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA29 ,  5F004DB19 ,  5F041AA40 ,  5F041CA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA77 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073DA35 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC21