特許
J-GLOBAL ID：200903004153760757
pHセンサおよびそれを用いたワンチップpHセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤本 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-289370
公開番号（公開出願番号）：特開平9-203721
出願日： 1996年10月11日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：
【要約】【課題】 簡単に製造することができるとともに、電気絶縁性が良好かつ安定で高性能なpHセンサおよびそれを用いたワンチップpHセンサを提供すること。【解決手段】 ISFET11を形成する基板として、シリコン単結晶基板1上に酸化アルミニウム薄膜2をエピタキシャル成長させ、この酸化アルミニウム薄膜2上にシリコン薄膜3をエピタキシャル成長させたシリコン/酸化アルミニウム/シリコンからなる構造のエピタキシャル成長基板4を用いた。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶基板上に酸化アルミニウム薄膜をエピタキシャル成長させ、この酸化アルミニウム薄膜上にシリコン薄膜をエピタキシャル成長させたシリコン/酸化アルミニウム/シリコンからなる構造のエピタキシャル成長基板上にISFETを形成したことを特徴とするpHセンサ。
FI (3件)：
G01N 27/30 301 W
, G01N 27/30 301 X
, G01N 27/30 301 U
