特許
J-GLOBAL ID：200903004154607561
レーザ加工方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-235037
公開番号（公開出願番号）：特開2007-050410
出願日： 2005年08月12日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】 シリコンウェハを切断して得られるチップの切断面からパーティクルが発生するのを防止するためのレーザ加工方法を提供する。【解決手段】 改質領域77〜712を形成する際のレーザ光Lの照射条件は、シリコンウェハ11の表面3からの深さが335μm〜525μmの領域でのレーザ光Lの球面収差が補正されるように、改質領域713〜719を形成する際のレーザ光Lの照射条件に対して変化させられる。そのため、改質領域71〜719を切断の起点としてシリコンウェハ11及び機能素子層16を半導体チップに切断しても、深さが335μm〜525μmの領域ではツイストハックルが顕著に現れず、パーティクルが発生し難くなる。【選択図】 図11
請求項（抜粋）：
厚さt(500μm<t)のシリコンウェハの内部に集光用レンズによりレーザ光を集光させることで、前記シリコンウェハの切断予定ラインに沿って、切断の起点となる複数列の改質領域を前記シリコンウェハの内部に形成するレーザ加工方法であって、
前記シリコンウェハのレーザ光入射面からの深さが350μm〜500μmの第1の領域に、前記切断予定ラインに沿って第1の改質領域を形成する工程と、
前記レーザ光入射面からの深さが0μm〜250μmの第2の領域に、前記切断予定ラインに沿って第2の改質領域を形成する工程と、を備え、
前記第1の改質領域を形成する際のレーザ光の照射条件は、前記第1の領域でのレーザ光の球面収差が補正されるように、前記第2の改質領域を形成する際のレーザ光の照射条件に対して変化させられることを特徴とするレーザ加工方法。
IPC (4件)：
B23K 26/40
, B23K 26/04
, B23K 26/06
, H01L 21/301
B23K26/40
, B23K26/04 C
, B23K26/06 Z
, H01L21/78 B
4E068AD01
, 4E068CA11
, 4E068CD08
, 4E068DA10
