特許
J-GLOBAL ID：200903004154607561

レーザ加工方法

発明者：
坂本 剛志

坂本 剛志 について

, 
村松 憲一

村松 憲一 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-235037
公開番号（公開出願番号）：特開2007-050410
出願日： 2005年08月12日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】 シリコンウェハを切断して得られるチップの切断面からパーティクルが発生するのを防止するためのレーザ加工方法を提供する。【解決手段】 改質領域77〜712を形成する際のレーザ光Lの照射条件は、シリコンウェハ11の表面3からの深さが335μm〜525μmの領域でのレーザ光Lの球面収差が補正されるように、改質領域713〜719を形成する際のレーザ光Lの照射条件に対して変化させられる。そのため、改質領域71〜719を切断の起点としてシリコンウェハ11及び機能素子層16を半導体チップに切断しても、深さが335μm〜525μmの領域ではツイストハックルが顕著に現れず、パーティクルが発生し難くなる。【選択図】 図11
請求項（抜粋）：
厚さt(500μm IPC (4件)：
B23K 26/40 ,  B23K 26/04 ,  B23K 26/06 ,  H01L 21/301
FI (4件)：
B23K26/40 ,  B23K26/04 C ,  B23K26/06 Z ,  H01L21/78 B
Fターム (4件)：
4E068AD01 ,  4E068CA11 ,  4E068CD08 ,  4E068DA10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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