特許
J-GLOBAL ID：200903004160652404
半導体材料集積形マイクロアクチュエ-タを製造する方法、および半導体材料集積形マイクロアクチュエ-タ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-307224
公開番号（公開出願番号）：特開2000-024964
出願日： 1998年10月28日
公開日（公表日）： 2000年01月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体材料集積形マイクロアクチュエータを製造する方法、および当該マイクロアクチュエータに関し、ディスクに垂直な方向に充分な剛性を持ち、ヘッドに対し充分な加速度を有する静電力を提供することを目的とする。【解決手段】 マイクロアクチュエータ1が、ほぼ円周方向に延び互いに挟み合った電極を支持する半径方向アームを伴う円形延長部分を持つ内部ロータ4と外部ステータ3を有する。製造のために、まず基板2上に犠牲的な領域34を形成させ、次にエピタキシャル層37を成長させ、電子部品とバイアス導電性領域を形成させ、その後、犠牲的な領域の下側の基板2の一部分を除去して、基板全体を通って延びるアパーチャを形成させ、エピタキシャル層37を削孔して内部ロータ4と外部ステータ3を構成し、これらを互いに分離させ、最終的に犠牲的な領域34を除去してチップの残りの部分から可動構造を解放する。
請求項（抜粋）：
基板(2)上にエピタキシャル層(37)を成長させ、かくして半導体材料のウェーハ(39)を得るステップと、エピタキシャル層(37)の選択的部分を除去しかくして、互いに対面し互いに容量結合がなされた内部ロータ(4)および外部ステータ(3)を形成するステップと、バックエッチングにより内部ロータ(4)の下側の基板(2)の一部分を除去し、かくして基板内にアパーチャ(7)を形成するステップとを含んでなることを特徴とする、半導体材料集積形マイクロアクチュエータを製造する方法。
IPC (4件)：
B25J 7/00
, B25J 19/00
, B62D 57/00
, H02N 1/00
B25J 7/00
, B25J 19/00 A
, H02N 1/00
, B62D 57/00 G
, B62D 57/00 B
