半導体レーザ装置および光増幅装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田澤博昭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-306113
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148660
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 1.017μm近傍の波長帯域を有する半導体レーザ装置5は、光出力が低く、比較的高価である。一方、0.98μm帯の波長帯域を有する半導体レーザ装置5は、Prドープファイバ6に対する利得が低いなどの課題があった。【解決手段】半導体レーザチップ11から照射された自然放出光は、低反射膜11aを透過して、レンズ12で集光された後、光ファイバ13に結合する。そして回折格子14で矢印16で示すように一部反射され、この反射された自然放出光は逆進して、再びレンズ12を介して半導体レーザチップ11に戻る。

請求項（抜粋）：

0.975μmから0.994μmの波長範囲内に利得ピークを有する半導体レーザチップと、この半導体レーザチップから照射された自然放出光を集光するレンズと、このレンズにより集光された上記自然放出光のうち、一部を0.995μmから1.02μmの波長範囲内の特定の波長として上記半導体レーザチップに帰還し、レーザ共振を発生させる光帰還手段とを備えた半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01S 3/103 , G02F 1/35 501 , H01S 3/10

FI (3件)：

H01S 3/103 , G02F 1/35 501 , H01S 3/10 Z

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