特許
J-GLOBAL ID:200903004164703518

分子線エピタキシィ用蒸発源装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 飯阪 泰雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-356882
公開番号(公開出願番号):特開平5-170591
出願日: 1991年12月24日
公開日(公表日): 1993年07月09日
要約:
【要約】[構成] 分子線エピタキシィ用蒸発源装置の蒸発材料の蒸発源装置5に蒸発材料が注入されている。るつぼ13は油浴16に浸漬され、熱媒体である油は図示されていない熱交換器を経由して、容器17の供給口18から油浴16、排出口19を循環する。るつぼ13内の蒸発材料は熱媒体の熱を受け、蒸発する。[効果] るつぼを熱媒体としての油液に浸漬させているので、低温での温度安定性が向上させる。これにより、るつぼ内の蒸発材料が安定した加熱状態により加熱されて蒸発量が一定し、高品質な薄膜を作成することができる。
請求項(抜粋):
真空室内に配設されたるつぼ内の蒸発材料を加熱することにより、該真空室内に配設された基板に前記蒸発材料の分子を蒸着させるようにした分子線エピタキシィ用蒸発源装置において、連結管を介して連通された高温側蒸発部と低温側蒸発部とを備え、前記高温側蒸発部は前記蒸発材料の通路の壁部に前記蒸発材料を分解するヒータを設け、前記低温側蒸発部は前記るつぼを熱媒体としての溶液に浸漬させ、該溶液により前記るつぼを加熱するようにしたことを特徴とする分子線エピタキシィ用蒸発源装置。
IPC (2件):
C30B 23/08 ,  C23C 14/22

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